接纳沟槽MOS结构，使保存权衡关系的VF和IR相比以往产品获得显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列” ～很是适用于汽车LED前照灯等高速开关应用～
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都会）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和� ；さ缏�，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列” 。
二极管的种类有许多，其中高效率SBD被广泛用于种种应用 。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率 。而普通沟槽MOS结构的产品，其trr比平面结构的要差，因此在用于开关应用时保存功率损耗增加的课题 。针对这种课题，ROHM推出接纳自有的沟槽MOS结构、同时改善了保存权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品 。
“YQ系列”是继以往支持种种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品，也是ROHM首款接纳沟槽MOS结构的二极管 。该系列利用ROHM自有的结构设计，实现了业界超快的trr（15ns），与同样接纳沟槽MOS结构的普通产品相比，trr单项的损耗降低约37%，总开关损耗降低约26%，因此，有助于降低应用产品的功耗 。另外，通过接纳沟槽MOS结构，与以往接纳平面结构的SBD相比，正向施加时的损耗VF*2和反向施加时的损耗IR*3均获得改善 。这不但可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗，还可以降低关于SBD而言最令人担心的热失控危害*4 。这些优势使得该系列产品很是适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用 。
新产品从2023年12月起全部投入量产（样品价格：300日元～/个，不含税），样品可通过Ameya360、Sekorm、Right IC等网售平台购置 。今后，ROHM将连续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续增强别具特色的产品阵容，为应用产品进一步实现小型化和更低功耗孝敬力量 。
＜关于SBD的沟槽MOS结构＞
沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽（沟槽MOS）并用多晶硅填充的结构，这种结构可以缓和电场集中，从而可以降低外延层的电阻率，在正向施加时VF更低 。另外，当反向施加时，可以缓和电场集中现象，从而实现更低的IR 。前述的“YQ系列”通过接纳这种沟槽MOS结构，与以往产品相比，VF改善了约7%，IR改善了约82% 。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构的差 。“YQ系列”不但改善了VF和IR，并且还利用ROHM自有的结构设计，实现了约15ns的业界超快trr 。由于可将开关时的损耗降低约26%，因此很是有助于降低应用产品的功耗 。
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